9icnet为您提供由onsemi设计和生产的BAS16TT1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS16TT1的参考价格为0.05000美元。onsemi BAS16TT1包装/规格：DIODE SS SW 75V 200MA SC-75。您可以下载BAS16TT1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS16-TP是DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如SOT-23，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作1μA@75V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@150mA，该器件提供75V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有300mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS16TR是DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23，包括855mV@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOT-23-3中使用的供应商设备包，该设备提供了小信号=、反向恢复时间trr等速度特性，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@75V，电流平均整流Io为200mA，而电容Vr F在0V、1MHz时为2pF。
BAS16TDW，带有VL制造的电路图。BAS16TDW采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
BAS16TS，带有PANJIT制造的EDA/CAD模型。BAS16TS采用SOD523封装，是IC芯片的一部分。
