9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N5623US/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N5623US/TR参考价格13.72500美元。微芯片技术JATXV1N5623US/TR包装/规格：整流器UFR、FRR。您可以下载JATXV1N5623US/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATXV1N5622US，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/427系列，它们设计用于散装包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SQ-MELF、a等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及D-5A供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供500nA@1000V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.3V@3A的正向电压Vf Max If，直流反向电压Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65°C~200°C。
JATXV1N5622带有用户指南，其中包括1.3V@3A电压正向Vf Max。如果设计为在1000V（1kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）的速度，提供了军用、MIL-PRF-19500/427等系列功能，反向恢复时间trr设计为2μs，以及散装包装，该器件也可以用作A，轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~200°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@1000V，电流平均整流Io为1A。
JATXV1N5621US带有电路图，包括20pF@12V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@800V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为SQ-MELF，A，该设备为散装包装，该设备具有300ns的反向恢复时间trr，系列为军用MIL-PRF-19500/429，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为D-5A，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.6V@3A。
