9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ISL9R860PF2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ISL9R860PF2参考价格为0.542美元。onsemi ISL9R860PF2包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L。您可以下载ISL9R860PF2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ISL9R8120S3ST是二极管GEN PURP 1.2KV 8A TO263，包括Stealth？系列，它们设计用于Digi-ReelR封装，数据表注释中显示了用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB的封装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于to-263（D2Pak）以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100μA@1200V，该器件提供3.3V@8A电压正向Vf Max If，该器件具有1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为300ns，电容Vr F为30pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
ISL9R8120P2是DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L，包括3.3V@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1200V（1.2KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220-2L的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性？，以及300ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-220-2，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100μa@1200V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为30pF@10V，1MHz。
ISL9R860P2是二极管GEN PURP 600V 8A TO220AC，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作100μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备在Stealth？系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为TO-220-2L，直流反向电压Vr Max为600V，正向电压Vf Max If为2.4V@8A。
