9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5407-E3/51,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5407-E3/51参考价格为0.534美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5407-E3/51封装/规格:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD。您可以下载1N5407-E3/51英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5407是DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD,包括标准回收整流器产品,它们设计用于散装包装,数据表注释中显示了R0中使用的零件别名,R0提供单位重量功能,例如0.038801盎司,安装样式设计用于通孔,以及DO-201AA、DO-27轴向包装箱,该装置也可以用作通孔安装型。此外,供应商设备包为DO-201AD,该设备为单配置,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μa@800V,电压正向Vf Max If为1V@3A,电压直流反向Vr Max为800V,电流平均整流Io为3A,电容Vr F为30pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C~170°C,最大工作温度范围为+150°C,最小工作温度范围-65°C,Vf正向电压为1 V,Vr反向电压为800 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为3 A,最大浪涌电流为200 A。
1N5407-B是DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD,包括800V Vr反向电压,它们设计为在1V@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了800V中使用的电压DC反向Vr Max,提供了1V正向电压特性,单位重量设计为0.038801盎司,以及DO-201AD供应商设备包,该设备还可以用作标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度。此外,该系列为1N54,该装置在标准回收整流器产品中提供,该装置具有散装包装,包装箱为DO-201AD,轴向,其工作温度接合范围为-65°C~150°C,安装类型为通孔,安装类型是通孔,其最低工作温度范围为-65C,最大浪涌电流为200 A,其最大工作温度范围为+150 C,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为3 A,二极管类型为标准,反向泄漏电流Vr为10μA@800V,平均整流电流Io为3A,配置为单一,电容Vr F为25pF@4V,1MHz。
1N5407BRLG,带有ON制造的电路图。1N5407BRL G在DO-201封装中提供,是IC芯片的一部分。