9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JANS15N5819UR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1月1819UR-1参考价格80.55000美元。微芯片技术JANS15N5819UR-1封装/规格：整流器二极管。您可以下载JANS1N5819UR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JANS1N5186，带有引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/478系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-203AA、DO-4、螺柱的包装箱，提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，供应商设备包设计用于DO-203A（DO-4），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@150V，该器件提供950mV@20A电压正向Vf Max。如果，该器件具有150V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为20A，反向恢复时间trr为35ns，电容Vr F为300pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JANSN5819-1是DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41，包括490mV@1A正向电压Vf Max。如果设计为在45V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-41的供应商设备包，该DO-41提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/586以及散装包装，该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~125°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为50μa@45V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为70pF@5V，1MHz。
JANS1N5811US带有电路图，包括SMD/SMT安装样式，设计用于D-5A-2包装箱，包装如数据表注释所示，用于散装。
