9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S3G-E3/51T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S3G-E3/51T参考价格为0.376美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S3G-E3/51T封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB。您可以下载S3G-E3/51T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S3GB-TP是DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA，包括S3G系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003284盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电压正向Vf Max If为1.15V@3A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，Vr反向电压为400V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A。
带有用户指南的S3GBTR，包括1.2V@3A电压正向Vf Max，如果设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表说明所示，用于SMB（DO-214AA），提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2.5μs，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
S3GBF带有SK制造的电路图。S3GBF采用SMBF封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
