9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的SF10DG-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SF10DG-T价格参考2.814美元。Diodes Incorporated SF10DG-T封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO41。您可以下载SF10DG-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SF10BG-T是DIODE GEN PURP 100V 1A DO41，包括SF10系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装类型设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，电压反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为35ns，电容Vr F为75pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为35ns。
SF10CG-T是DIODE GEN PURP 150V 1A DO41，包括150 V Vr反向电压，它们设计为在950 mV@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于150V的电压直流反向Vr Max，提供0.95 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.010582盎司，以及DO-41供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为SF10，该设备提供35ns反向恢复时间trr，该设备具有35ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结区范围为-65°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@150V，电流平均整流Io为1A，并且配置为Single，电容Vr F为75pF@4V，1MHz。
SF10D300D2，带有AUK制造的电路图。SF10D300D2采用TO263封装，是IC芯片的一部分。
