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R6021035ESYA是DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205，包括散装包装，它们设计用于DO-205AB、DO-9、螺柱封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备封装功能，如DO-205AA、DO-9，速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作50mA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.5V@800A，该器件提供1000V（1kV）电压直流反向Vr Max，该器件具有350A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-45°C~150°C。
R6021225HSYA是DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205，包括2V@800A正向电压Vf Max。如果设计为在1200V（1.2KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-205AB、DO-9中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1μs，除了散装包装外，该设备还可以用作DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱，其工作温度结范围为-45°C~150°C，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50mA@1200V，电流平均整流Io为250A。
R6021222PSYA是DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205，包括220A电流平均整流Io，它们设计为在1200V电流反向泄漏Vr下工作50mA，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-45°C~150°C，以及DO-205AB，DO-9，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为500ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有DO-205AB，DO-9供应商设备包，电压DC反向Vr Max为1200V（1.2kV），电压正向Vf Max If为2.75V@800A。
