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1N3673AR是DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4,包括1N3673系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于散装,提供单位重量功能,如0.246918盎司,安装样式设计用于通孔,以及DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱,该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外,供应商设备包为DO-4,该设备的标准恢复时间>500ns,>200mA(Io)速度,该设备具有标准二极管型反向极性,电流反向泄漏Vr为10μa@50V,正向电压Vf Max If为1.1V@12A,直流反向电压Vr Max为1000V(1kV),电流平均整流Io为12A,其工作温度结范围为-65°C~200°C,Vf正向电压为1.1 V,Vr反向电压为1000 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为12 A,最大浪涌电流为240 A。
1N3673A是DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4,包括1000 V Vr反向电压,它们设计为在1.1 V@12A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000 V(1KV)的电压直流反向Vr Max,提供1.1 V正向电压特性,单位重量设计为0.246918盎司,以及DO-4供应商设备包,该设备还可以用作标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度。此外,该系列为1N3673,该装置在标准回收整流器产品中提供,该装置具有大量包装,包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱,其工作温度结区范围为-65°C~200°C,安装方式为通孔,安装类型为底盘、螺柱安装,最大浪涌电流为240A,Ir反向电流为10uA,如果正向电流为12A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μA@50V,电流平均整流Io为12A。
1N3743 G R G,带电路图,包括250A电流平均整流Io,它们设计为在1200V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于标准,提供安装类型功能,如底盘、螺柱安装,其工作温度结范围为175°C(最大值),以及DO-205AB、DO-9螺柱封装外壳,该装置也可以用作散装包装。此外,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),该设备在DO-205AB,DO-9供应商设备包中提供,该设备具有1200V(1.2kV)直流反向电压Vr Max,正向电压Vf Max If为1.3V@250A。
1N3717,采用MOTOROLA制造的EDA/CAD模型。1N3717采用DO-4封装,是IC芯片的一部分。