9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ES1C-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1C-13参考价格$2.17。Diodes Incorporated ES1C-13包装/规格：DIODE GEN PURP 150V 1A SMA。您可以下载ES1C-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ES1C是DIODE GEN PURP 150V 1A SMA，包括超快恢复整流器产品，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，数据表注释中显示了用于ES1C_NL的零件别名，该ES1C_N提供单位重量功能，如0.003739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC SMA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMA（DO-214AC），该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，正向电压Vf Max If为920mV@1A，直流反向电压Vr Max为150V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为15ns，电容Vr F为7pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，Pd功耗为1.47 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，Vf正向电压为920 mV，Vr反向电压为150 V，并且Ir反向电流是5uA，并且如果正向电流是1A，并且最大浪涌电流是30A，并且恢复时间是15ns。
ES1B-TP是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC，包括100V Vr反向电压，它们设计为以975mV@1A正向电压Vf Max运行。如果数据表注释中显示了100V中使用的直流反向电压Vr Max，提供0.975 V等正向电压特性，单位重量设计为0.003739盎司，以及DO-214AC（HSMA）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为ES1，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-50°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-50 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准型，反向泄漏电流Vr为5μA@100V，平均整流电流Io为1A，配置为单一。
ES1C R3，电路图由TSC制造。ES1C R3采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
带有SEP制造的EDA/CAD模型的ES1C T/R。ES1C T/R采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
