9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MMSD71RKT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMSD71RKT1G参考价格为0.382美元。onsemi MMSD71RKT1G包装/规格：DIODE GEN PURP 80V 200MA SOD123。您可以下载MMSD71RKT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMSD701T1G是DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOD123，包括MMSD701系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.001058盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOD-123包装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOD-123供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@35V，电压正向Vf Max If为1V@10mA，电压直流反向Vr Max为70V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为1pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~125°C，其最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围是-55 C，在0.01 A时Vf正向电压为1 V，Ir反向电流为0.2 uA，如果正向电流为0.2 A，Vrm重复反向电压为70 V。
MMSD71RKT1是DIODE GEN PURP 80V 200MA SOD123，包括1.2V@100mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在80V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于SOD-123，该SOD-123提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为4ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作SOD-123封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500nA@80V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为2pF@0.5V，1MHz。
MMSD701T1是二极管肖特基70V 200MA SOD123，包括1pF@0V，1MHz电容Vr F，设计用于200MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于200nA@35V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~125°C，该装置也可用作SOD-123包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以小信号=速度提供，该设备具有供应商设备包的SOD-123，电压DC反向Vr Max为70V，电压正向Vf Max If为1V@10mA。
