9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-1N3879R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-1N3879R参考价格为0.468美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-1N3879R封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA。您可以下载VS-1N3879R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-1N3768R是DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，零件别名如数据表注释所示，用于1N3768R，提供单位重量功能，如1.005308盎司，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5、螺柱包装箱，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，供应商设备包为DO-203AB，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2mA@1000V，电压正向Vf Max If为1.8V@110A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为35A，它的工作温度结范围为-65°C~190°C，最大工作温度范围为+190°C。它的最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压在110 A时为1.8 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为2000 uA，If正向电流为35 A，最大浪涌电流为400 A。
VS-1N3768是DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为以1.8V@110A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于1000V（1KV）的电压直流反向Vr Max，其提供了Vf正向电压功能，如110 a时的1.8 V，单位重量设计为0.599657盎司，以及DO-203AB供应商设备包，该设备也可用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该产品为标准回收整流器，该设备以1N3768零件别名提供，该设备具有大量包装，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，其工作温度接合范围为-65°C~190°C，安装方式为螺柱，安装类型为底盘、螺柱安装，其最低工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为400 A，其最大工作温度范围为+190 C，Ir反向电流为2000 uA，如果正向电流为35 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2mA@1000V，电流平均整流Io为35A，配置为单一。
VS-1N3879是DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA，包括单一配置，它们设计用于6A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于15μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于6 a，以及15 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，最大浪涌电流为90 A，最小工作温度范围是-65℃。该设备具有底座，安装类型的螺柱安装，安装类型为通孔，工作温度连接范围为-65℃~150℃，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，包装为散装，零件别名为1N3879，产品为快速恢复整流器，恢复时间为300ns，反向恢复时间trr为300ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-203AA，单位重量为0.246918oz，Vf正向电压为1.4V，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.4V@6A，Vr反向电压为50V。
