9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的S85M，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S85M的参考价格为1265153美元。GeneSiC Semiconductor S85M封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 85A DO5。您可以下载S85M英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S85JR是DIODE GEN PURP REV 600V 85A DO5，包括S85系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.005308盎司，安装类型设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱，该设备也可用作底盘、，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-5，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，正向电压Vf Max If为1.1V@85A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为85A，其工作温度结范围为-65°C~180°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为85 A，最大浪涌电流为1050 A。
S85KR是DIODE GEN PURP REV 800V 85A DO5，包括1.1V@85A电压正向Vf Max。如果它们设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-5的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），其工作温度结范围为-65°C~180°C。此外，安装类型为底座、螺柱安装，该设备为标准反向极性二极管类型，该设备具有10μa@100V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为85A。
S85K是DIODE GEN PURP 800V 85A DO5，包括85A电流平均整流Io，它们设计为在100V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-65°C~180°C，以及DO-203AB、DO-5，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在DO-5供应商设备包中提供，该设备具有800V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@85A。
