9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的DL4006-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DL4006-TP参考价格$4.226。Micro Commercial Co DL4006-TP包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A MELF。您可以下载DL4006-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DL4006-13-F是DIODE GEN PURP 800V 1A MELF，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于DO-213AB、MELF包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如MELF，速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io）、，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5μA@800V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@1A，该器件提供800V电压DC反向Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
DL4006-13是DIODE GEN PURP 800V 1A MELF，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于MELF的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。包装设计为在切割带（CT）以及DO-213AB中工作，MELF包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
DL4006是DIODE GEN PURP 800V 1A MELF，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在800V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及DO-213AB，MELF封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在MELF供应商设备包中提供，该设备具有800V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@1A。
