9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的SCPHN30，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SCPHN30参考价格2987.50000美元。Semtech Corporation SCPHN30包装/规格：DIODE GEN PURP 3K0V 5.5A。您可以下载SCPHN3 0英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PHN210118是MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC，包括TrenchMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双通道）FET类型。此外，功率最大值为2W，器件提供30V漏极到源极电压Vdss，器件具有250pF@20V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为100 mOhm@2.2A，10V，Vgs th Max Id为2.8V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为6nC@10V。
PHN210T，118是MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC，包括2.8V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商器件包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchMOS？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如100 mOhm@2.2A，10V，Power Max设计用于2W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有250pF@220V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为6nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V。
PHN210T，带有NXP制造的电路图。PHN210T在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
PHN210T118，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PHN210T118采用SOT96-1封装，是IC芯片的一部分。
