9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MR851RL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MR851RL价格参考$0.04000。onsemi MR851RL包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD。您可以下载MR851RL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MR851G是DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL，包括MR851系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于批量替代包装，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-201AD、轴向以及通孔安装类型，该装置也可用作轴向供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电压正向Vf Max If为1.25V@3A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为300ns，它的工作温度结范围为-65°C~125°C，最大工作温度范围为+125°C。它的最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为300 ns。
MR851是DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD，包括1.25V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在300ns内运行，该器件也可以用作DO-201AA、DO-27、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~125°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为3A。
MR850是DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~125°C，以及DO-201AA、DO-27，轴向包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为300ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-201AD，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.25V@3A。
