9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MURA115T3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURA115T3参考价格为0.10000美元。onsemi MURA115T3包装/规格：DIODE GEN PURP 150V 2A SMA。您可以下载MURA115T3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MURA110T3G是DIODE GEN PURP 100V 2A SMA，包括MURA105系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.00739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC SMA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMA，该设备为单一配置，设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2μa@100V，电压正向Vf Max If为875mV@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为2 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为30 ns。
MURA110T3是DIODE GEN PURP 100V 2A SMA，包括875mV@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMA中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在30ns内运行，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@100V，电流平均整流Io为2A。
MURA1100T3G带有ON制造的电路图。MURA1100T3G采用DO-214AC封装，是IC芯片的一部分。
