9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的JAN1N5809,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。2009年1月1日参考价格为14.35300美元。Semtech Corporation JAN1N5809包装/规格:D MET 6A SFST 100V。您可以下载JAN1N5809英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N5807URS,带引脚细节,包括军用MIL-PRF-19500/477系列,它们设计用于散装包装,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供SQ-MELF、B等封装盒功能,安装类型设计用于表面安装,以及B、SQ-MELL供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,二极管类型为标准型,该器件提供5μA@50V电流反向泄漏Vr,该器件具有875mV@4A电压正向Vf Max If,电压直流反向Vr Max为50V,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为30ns,电容Vr F为60pF@10V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JAN1N5807US带有用户指南,包括875mV@4A电压正向Vf Max。如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于B、SQ-MELF的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/477,以及30ns反向恢复时间trr,该装置也可以用作散装包装。此外,封装外壳为SQ-MELF,B,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该器件具有安装型SMD/SMT,安装类型为表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@50V,电流平均整流Io为6A,电容Vr F为60pF@10V,1MHz。
JAN1N5807是DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL,包括60pF@10V,1MHz电容Vr F,设计用于6A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@50V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于通孔,以及通孔安装类型,其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外,包装箱为B,轴向,该设备为散装包装,该设备具有30ns的反向恢复时间trr,系列为军用MIL-PRF-19500/477,速度为快速恢复=20mA(Io),电压DC反向Vr Max为50V,电压正向Vf Max If为875mV@4A。