9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的1N4448-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4448-TP参考价格$5.32。Micro Commercial Co 1N4448-TP包装/规格：DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35。您可以下载1N4448-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4448TAP是DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35，包括磁带盒（TB）替代包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@75V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为720mV@5mA，该器件提供75V电压DC反向Vr Max，该器件具有150mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为8ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N4448-T是DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35，包括1V@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为4ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@75V，电流平均整流Io为500mA，电容Vr F为4pF@0V，1MHz。
1N4448HWT-7-F是DIODES制造的DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523。1N4448HWT-7-F采用SC-79 SOD-523封装，是二极管、整流器-单体的一部分，并支持二极管GEN PURP 80V 125MA SOD523、二极管开关80V 0.125A汽车2引脚SOD-523T/R。
