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JATX1N6622US是DIODE GEN PURP 660V 2A D5A，包括军用MIL-PRF-19500/585系列，它们设计用于散装包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SQ-MELF、a等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及D-5A供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供500nA@660V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.4V@1.2A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为660V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为10pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C。
JATX1N6622是DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL，包括1.4V@1.2A正向电压Vf Max。如果它们设计为在660V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表注释中显示了用于快速恢复=20mA（Io）的速度，其提供了军用、MIL-PRF-19500/585、反向恢复时间trr等系列功能，该器件也可以用作A型轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@660V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为10pF@10V，1MHz。
JATX1N6622U是二极管GEN PURP 600V 1.2A A-MELF，包括1.2A电流平均整流Io，设计用于在500nA@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准具有表面安装等安装类型特征，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及SQ-MELF，包装箱，该设备也可用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/585系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-5A，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值If为1.4V@1.2A。
