9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的1N5398-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5398-T价格参考2.952美元。Diodes Incorporated 1N5398-T封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO15。您可以下载1N5398-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5398GPHE3/54是DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-204AC、DO-15、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-204AA（DO-15），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5μA@800V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.4V@1.5A，该器件提供800V电压直流反向Vr Max，该器件具有1.5A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N5398G-T是DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO15，包括1.1V@1.5A正向电压Vf Max。如果设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下工作，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-15，提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。包装设计为在磁带和卷轴（TR）以及DO-204AC、DO-15中工作，轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N5398S-T是DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO41，包括20pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于1.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@800V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-41供应商设备包，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.1V@1.5A。
