9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N6625US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6625美国参考价格$14.46000。Microchip Technology 1N6625US包装/规格：DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF。您可以下载1N6625US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6624US，带有引脚细节，包括散装封装，设计用于SMD/SMT安装方式，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，a的封装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于a-MELF，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@990V，该器件提供1.55V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有990V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为10pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C。
1N6625是DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL，包括1.75V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1100V（1.1KV）电压直流反向Vr Max下运行，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供反向恢复时间trr功能，如60ns，包装设计为散装工作，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有1μa@1100V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@110V，1MHz。
带电路图的1N6625E3，包括1A电流平均整流Io，设计用于在1μa@1000V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及a，轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为80ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有a轴供应商设备包，电压DC反向Vr Max为1100V（1.1kV），电压正向Vf Max If为1.95V@1.5A。
1N6624是整流器超快整流器（小于100ns），包括通孔安装型。
