9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N6627U，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6627U参考价格$14.46000。Microchip Technology 1N6627U封装/规格：ZENER二极管。您可以下载1N6627U英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N6627U价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N6626US是DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF，包括散装包装，它们设计为以SMD/SMT安装方式运行，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，A的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计为在A-MELF中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2μA@220V，该器件提供1.35V@2A电压正向Vf Max。如果，该器件具有220V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.75A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为40pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
1N6626是DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL，包括1.35V@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在220V电压直流反向Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供反向恢复时间trr功能，如30ns，包装设计为批量工作，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔安装，该设备采用通孔安装类型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@220V，电流平均整流Io为1.75A，电容Vr F为40pF@10V，1MHz。
1N6627是DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL，包括40pF@10V，1MHz电容Vr F，设计用于1.75A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于2μa@440V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及通孔安装类型，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，包装箱为A，轴向，该设备为散装包装，该设备具有30ns的反向恢复时间trr，速度为快速恢复=20mA（Io），电压DC反向Vr Max为440V，电压正向Vf Max If为1.35V@2A。
1N6626U是MICROSEMI制造的二极管开关220V 1.75A 2针E-MELF。1N6626U采用SOD57封装，是二极管、整流器-单体的一部分，支持二极管开关220V 1.75A 2针E-MELF。
