9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的1N5399S-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5399S-T参考价格为0.548美元。Diodes Incorporated 1N5399S-T封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO41。您可以下载1N5399S-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5399GPHE3/73是DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204，包括磁带盒（TB）封装，设计用于DO-204AC、DO-15、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-204AA（DO-15），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.4V@1.5A，该器件提供1000V（1kV）电压直流反向Vr Max，该器件具有1.5A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N5399G-T是DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15，包括1.1V@1.5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表中显示了DO-15中使用的供应商设备包，该DO-15提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），DO-15，轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@1000V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N5399S是由台湾半导体制造的“整流器1.5A”。1N5399S采用DO-41封装，是二极管、整流器-阵列的一部分，并支持“整流器1.5A、整流器1.5A、1000V、SILASTIC整流器”。
