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MA2C18800E,带引脚细节,包括切割带(CT)封装,设计用于DO-204AG、DO-34、轴向封装外壳,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供供应商设备封装功能,如DO-34,速度设计用于小信号=,以及标准二极管类型,该器件也可以用作200nA@200V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1.2V@200mA,该器件提供200V电压DC反向Vr Max,该器件具有200mA的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为60ns,电容Vr F为1pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为175°C(最大值)。
MA2C19500E是DIODE GEN PURP 35V 100MA DO34,包括1.2V@100MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在35V电压直流反向Vr Max下工作,则数据表说明中显示了用于DO-34的供应商设备包,该DO-34提供了小信号=、反向恢复时间trr设计为在200μs内工作等速度特性,该器件也可以用作DO-204AG、DO-34、轴向封装外壳,其工作温度结范围为200°C(最大值),该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10nA@30V,电流平均整流Io为100mA,电容Vr F为4pF@0V,1MHz。
MA2C19600E是DIODE GEN PURP 50V 100MA DO34,包括4pF@0V、1MHz电容Vr F,它们设计用于100MA电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于10nA@50V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于通孔,它的工作温度结范围为200°C(最大值),该设备也可以用作DO-204AG、DO-34、轴向封装外壳。此外,包装为切割胶带(CT),该设备提供200μs反向恢复时间trr,该设备具有小信号=速度,供应商设备包装为DO-34,电压DC反向Vr Max为50V,电压正向Vf Max If为1.2V@100mA。