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JAN1N4245是DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/286系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，具有通孔等安装方式特征，其工作温度范围为-65 C至+175 C，以及a，轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有1μa@200V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.3V@3A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为5μs，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为25 A，最大浪涌电流为25 V，恢复时间为5 us。
JAN1N415-1是DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35，包括880mV@20mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-35中使用的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=，系列设计用于军用MIL-PRF-19500/337，以及4ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-204AH，DO-35，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为50nA@50V，电流平均整流Io为150mA（DC），电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
JAN1N4150UR-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA，包括200MA（DC）电流平均整流Io，它们设计为在100nA@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-213AA包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，该设备为军用MIL-PRF-19500/231系列，该设备具有小信号=速度，供应商设备包为DO-213AA，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@200mA。
