9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的30HFUR-100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。30HFUR-100参考价格$0.254。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 30HFUR-100封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB。您可以下载30HFUR-100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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30HFU-300是DIODE GEN PURP 300V 30A DO203AB，包括散装包装，它们设计用于DO-203AB、DO-5、螺柱封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备封装功能，如DO-203AA，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作35μA@300V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.45V@30A，该器件提供300V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有30A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为80ns，其工作温度结范围为-40°C~125°C。
30HFU-400是DIODE GEN PURP 400V 30A DO203AB，包括1.45V@30A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-203AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为80ns，以及散装包装，该设备也可以用作DO-203AB、DO-5、螺柱封装外壳，其工作温度结范围为-40°C~125°C，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为35μa@400V，电流平均整流Io为30A。
30HFU-600是DIODE GEN PURP 600V 30A DO203AB，包括30A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作35μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-40°C~125°C，以及DO-203AB、DO-5，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为80ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-203AB，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.45V@30A。
