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1N4531113是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO34，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AG、DO-34、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计为在DO-34中工作，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为25nA@220V，器件提供1V@10mA电压正向Vf Max。如果，器件具有75V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为200°C（最大值）。
1N4531133是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35，包括1V@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-34的供应商设备包，该DO-34提供速度特性，如小信号=，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及4ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作切割带（CT）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AG、DO-34、轴向，其工作温度结范围为200°C（最大值），器件具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为25nA@220V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为4pF@0V，1MHz。
1N4531143是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO34，包括4pF@0V，1MHz电容Vr F，设计用于200MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于25nA@20V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为200°C（最大值），该设备也可以用作DO-204AG、DO-34、轴向封装外壳。此外，包装为磁带盒（TB）交替包装，设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为DO-34，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1V@10mA。
1N4531（T-72），带有ROHM制造的EDA/CAD模型。是IC芯片的一部分。
