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1N4447是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35，包括散装包装，它们设计用于0.004445 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-204AH、DO-35、轴向等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及DO-35供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，速度为小信号=，该设备为标准二极管类型，该设备具有25nA@220V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1V@20mA，电压直流反向Vr Max为75V，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为4ns，其工作温度结范围为-65°C~150°C，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Ir反向电流为25 nA，如果正向电流为200 mA，Vrm重复反向电压为100 V，Ifsm正向浪涌电流为4 A，trr反向恢复时间为4 ns。
1N4446_T50R，带用户指南，包括1V@20mA电压正向Vf最大值。如果设计为在100V电压直流反向Vr最大值下工作，则DO-35中使用的数据表说明中显示了供应商设备包，该设备包提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr，设计为在4ns内工作，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为25nA@220V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为4pF@0V，1MHz。
1N4446TR是DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35，包括4pF@0V、1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于25nA@20V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1V@20mA。
