9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的JAN1N5618,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。2018年1月1日参考价格为14.50800美元。Semtech Corporation JAN1N5618包装/规格:D MET 1A STD 600V。您可以下载JAN1N5618英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N5616US是DIODE GEN PURP 400V 1A D5A,包括军用MIL-PRF-19500/427系列,它们设计用于散装包装,安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供SQ-MELF、a等封装盒功能,安装类型设计用于表面安装,以及D-5A供应商设备包,该设备还可以用作标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度。此外,二极管类型为标准型,该器件提供500nA@400V电流反向泄漏Vr,该器件具有1.3V@3A的正向电压Vf Max If,直流反向电压Vr Max为400V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为2μs,其工作温度结域为-65°C~200°C。
JAN1N5617US带有用户指南,其中包括1.6V@3A电压正向Vf Max。如果设计用于400V电压直流反向Vr Max,则数据表说明中显示了D-5A中使用的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/429,以及150ns反向恢复时间trr,该装置也可以用作散装包装。此外,封装外壳为SQ-MELF,A,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该器件具有安装型SMD/SMT,安装类型为表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为500nA@400V,电流平均整流Io为1A。
JAN1N5617是DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL,包括1A电流平均整流Io,它们设计为在500nA@400V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于标准,提供安装类型特征,如通孔,安装样式设计为在通孔中工作,它的工作温度范围为-65°C~175°C,该装置也可作为A型轴向包装箱使用。此外,包装为散装,该设备提供150ns反向恢复时间trr,该设备具有军用MIL-PRF-19500/429系列,速度为快速恢复=20mA(Io),电压DC反向Vr Max为400V,电压正向Vf Max If为1.6V@3A。