9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N4006RL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4006RL参考价格为0.356美元。onsemi 1N4006RL包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO41。您可以下载1N4006RL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4006G-T是DIODE GEN PURP 800V 1A DO41，包括1N400系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装样式设计用于通孔，它的工作温度范围为-65℃至+175℃，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，设备在DO-41供应商设备包中提供，设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175°C；最小工作温度范围-65°C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为800 V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为30A，并且恢复时间为2000ns。
1N4006L-T是DIODE GEN PURP 800V 1A DO41，包括1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-41中使用的供应商设备包，该DO-41提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz。
1N4006G-T-S-NT是由RECTRON制造的整流器GP。1N4006GT-S-NT采用DO-41封装，是IC芯片的一部分，支持“整流器GP、整流器GP、Junc Plas Rect 1A、800V”。
