9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BY229B-600HE3/81，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BY229B-600HE3/81参考价格$3.36。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BY229B-600HE3/81封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB。您可以下载BY229B-600HE3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BY229B-600-E3/81是DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如to-263AA，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作10μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.85V@20A，该器件提供600V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有8A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为145ns，其工作温度结范围为-40°C~150°C。
BY229B-600-E3/45是DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB，包括1.85V@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在145ns内工作等速度特性，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为8A。
BY229B-600HE3/45是DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装盒，该设备也可用作管包装。此外，反向恢复时间trr为145ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-263AB，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.85V@20A。
