9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MUR120-E3/73,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MUR120-E3/73参考价格为0.566美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MUR120-E3/73封装/规格:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC。您可以下载MUR120-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MUR120-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC,包括超快恢复整流器产品,它们设计用于带卷(TR)包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.012346盎司,提供安装类型功能,如通孔,包装箱设计用于DO-204AC、DO-15、轴向以及通孔安装类型,该设备也可以用作DO-204AC(DO-15)供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为2μa@200V,电压正向Vf Max If为875mV@1A,电压直流反向Vr Max为200V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为35ns,其工作温度结范围为-65℃~175℃,最大工作温度范围为+175℃,最小工作温度范围-65℃,Vf正向电压为875 mV,Vr反向电压为200 V,Ir反向电流为2 uA,If正向电流为1 A,最大浪涌电流为35 A,恢复时间为35 ns。
带有用户指南的MUR120/54,包括875mV@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了DO-204AC(DO-15)中使用的供应商设备包,该设备包提供快速恢复=20mA(Io)、反向恢复时间trr设计为35ns,以及磁带和卷轴(TR)封装,该器件也可以用作DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为2μa@200V,电流平均整流Io为1A。
MUR120-E3,带有VISHAY制造的电路图。MUR120-E3采用SMB封装,是二极管、整流器-单体的一部分。