9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYD13DGPHE3/54,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYD13DGPHE3/54参考价格$5.564。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYD13DGPHE3/54封装/规格:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL。您可以下载BYD13DGPHE3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYD13DGP-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于DO-204AL、DO-41、轴向封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供供应商设备封装功能,如DO-204AL(DO-41),速度设计用于标准恢复>500ns,>200mA(Io),与标准二极管类型一样,该器件也可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr。此外,电压正向Vf Max If为1.1V@1A,该器件提供200V电压直流反向Vr Max,该器件具有1A的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为3μs,电容Vr F为884pF@1V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
BYD13DGP-E3/73是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL,包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-204AL(DO-41)的供应商设备包,其提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),反向恢复时间trr设计为3μs,除了磁带盒(TB)封装外,该器件还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@200V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为8pF@4V,1MHz。
BYD13D,电路图由PHILIPS制造。BYD13D采用SOD-81封装,是IC芯片的一部分。