9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYD13MGPHE3/54,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYD13MGPHE3/54参考价格$1.54。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYD13MGPHE3/54封装/规格:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL。您可以下载BYD13MGPHE3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如BYD13MGPHE3/54价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
BYD13KGPHE3/73是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL,包括磁带盒(TB)替代包装包装,它们设计用于DO-204AL、DO-41、轴向包装箱,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供供应商设备包功能,如DO-204AL(DO-41),速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA(Io),与标准二极管类型一样,该器件也可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr。此外,电压正向Vf Max If为1.1V@1A,该器件提供800V电压直流反向Vr Max,该器件具有1A的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为3μs,电容Vr F为8pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
BYD13MGP-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL,包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V(1KV)电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-204AL(DO-41)的供应商设备包,其提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),反向恢复时间trr设计为3μs,除了磁带和卷轴(TR)封装外,该器件还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装盒,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@200V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为8pF@4V,1MHz。
BYD13MGP-E3/73是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL,包括7pF@4V、1MHz电容Vr F,它们设计用于1A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@1000V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于通孔,其工作温度范围为-65°C~175°C,该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外,包装为磁带盒(TB),该器件以3μs反向恢复时间trr提供,该器件的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),供应商器件包装为DO-204AL(DO-41),电压DC反向Vr最大值为1000V(1kV),电压正向Vf最大值为1.2V@1A。