9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYD33JGPHE3/54,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYD33JGPHE3/54参考价格$2.5704。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYD33JGPHE3/54封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL。您可以下载BYD33JGPHE3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYD33JGP-E3/73是DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL,包括磁带盒(TB)封装,设计用于DO-204AL、DO-41、轴向封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供供应商设备封装功能,如DO-204AL(DO-41),速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA(Io),与标准二极管类型一样,该器件也可以用作5μA@600V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1.3V@1A,该器件提供600V直流反向电压Vr Max,该器件具有1A的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为250ns,电容Vr F为15pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
BYD33JGP-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL,包括600V电压DC反向Vr Max,设计用于与DO-204AL(DO-41)供应商设备包一起工作,速度如数据表说明所示,用于标准恢复>500ns,>200mA(Io),提供反向恢复时间trr功能,如250ns,包装设计用于磁带和卷轴(TR),以及DO-204AL、DO-41轴向封装外壳,其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外,安装类型为通孔,该器件为标准二极管类型,该器件具有5μa@600V的反向电流泄漏Vr,平均整流电流Io为1A,电容Vr F为15pF@4V,1MHz。
BYD33J,带有PHI制造的电路图。BYD33J采用SOD-81封装,是IC芯片的一部分。