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1N5282是DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-35等供应商设备包装功能，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@55V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为900mV@100mA，该器件提供80V电压直流反向Vr Max，该器件具有200mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N5282_T50R，带用户指南，包括900mV@100mA电压正向Vf Max，如果设计为在80V电压直流反向Vr Max下运行，则DO-35中使用的数据表说明中显示了供应商设备包，该设备包提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为在4ns内工作，以及磁带和卷轴（TR）交替包装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@55V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz。
1N5282TR是DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35，包括2.5pF@0V，1MHz电容Vr F，设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@55V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为切割胶带（CT）交替包装，设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为80V，电压正向Vf Max If为900mV@100mA。
1N5281BUR-1，带有Microsemi制造的EDA/CAD模型。是二极管-齐纳-单的一部分，并支持齐纳二极管齐纳稳压器二极管。
