9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RMPG06JHE3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RMPG06JHE3/73参考价格0.784美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RMPG06JHE3/73包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06。您可以下载RMPG06JHE3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RMPG06J-E3/73是DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06，包括快速恢复整流器产品，它们设计为使用磁带盒（TB）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007125盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于MPG06轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作MPG06供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.3V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为200ns，电容Vr F为6.6pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为200 ns。
RMPG06J-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.3V@1A电压正向Vf Max下运行。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向Vr Max，该600V提供1.3 V正向电压特性，单位重量设计用于0.007125 oz，以及MPG06供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为200ns，设备在200ns恢复时间内提供，设备具有产品快速恢复整流器，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为MPG06，轴向，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55℃，最大浪涌电流为40 A，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，平均整流电流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为6.6pF@4V，1MHz。
RMPG06JHE3/54是DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06，包括6.6pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于单配置，数据表说明中显示了用于1A的电流平均整流Io，提供电流反向泄漏Vr特性，如5μa@600V，二极管类型设计用于标准，该装置也可作为5 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+150℃，该装置的最大浪涌电流为40 A，其最小工作温度范围是-55℃，安装类型为通孔，安装方式为通孔，包装为磁带和卷轴（TR），产品为快速恢复整流器，恢复时间为200ns，反向恢复时间trr为200ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为MPG06，单位重量为0.007125 oz，Vf正向电压为1.3V，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，Vr反向电压为600V。
