9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYD13DGPHE3/73,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYD13DGPHE3/73参考价格$1.84。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYD13DGPHE3/73封装/规格:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL。您可以下载BYD13DGPHE3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYD13DGP-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于DO-204AL、DO-41、轴向封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供供应商设备封装功能,如DO-204AL(DO-41),速度设计用于标准恢复>500ns,>200mA(Io),与标准二极管类型一样,该器件也可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr。此外,电压正向Vf Max If为1.1V@1A,该器件提供200V电压直流反向Vr Max,该器件具有1A的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为3μs,电容Vr F为884pF@1V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
BYD13DGPHE3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL,包括200V电压DC反向Vr Max,它们设计用于DO-204AL(DO-41)供应商设备包,速度如数据表注释所示,用于标准恢复>500ns,>200mA(Io),提供包装功能,如磁带和卷轴(TR)交替包装,它的工作温度结范围为-65°C~175°C,该设备也可以用作通孔安装型。此外,二极管类型为标准型,该器件提供1A电流平均整流Io,该器件具有8pF@4V,1MHz的电容Vr F。
BYD13DGP-E3/73是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL,包括8pF@4V、1MHz电容Vr F,它们设计用于1A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@200V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于通孔,其工作温度范围为-65°C~175°C,该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外,包装为磁带盒(TB),该器件以3μs反向恢复时间trr提供,该器件的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),供应商器件包装为DO-204AL(DO-41),电压DC反向Vr Max为200V,电压正向Vf Max If为1.1V@1A。