9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYD13GGPHE3/73,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYD13GGPHE3/73参考价格10.93美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYD13GGPHE3/73封装/规格:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL。您可以下载BYD13GGPHE3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYD13GGPHE3/54是DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL,包括磁带和卷轴(TR)交替包装包装,它们设计用于DO-204AL、DO-41、轴向包装箱,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供供应商设备包功能,如DO-204AL(DO-41),速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA(Io),与标准二极管类型一样,该器件也可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr。此外,直流反向电压Vr最大值为400V,该设备提供1A电流平均整流Io,该设备具有8pF@4V,1MHz电容Vr F,其工作温度结范围为-65°C~175°C。
BYD13GGP-E3/54是DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL,包括400V电压DC反向Vr Max,它们设计为与DO-204AL(DO-41)供应商设备包一起工作,速度如数据表说明所示,适用于标准恢复>500ns,>200mA(Io),提供反向恢复时间trr功能,如3μs,DO-41,轴向封装外壳,其工作温度范围为-65°C~175°C。此外,安装类型为通孔,该器件为标准二极管类型,该器件具有5μa@200V电流反向泄漏Vr,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为8pF@4V,1MHz。
BYD13GGP-E3/73是DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL,包括1A电流平均整流Io,它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作5μa,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型功能,如通孔,其工作温度结范围为-65°C~175°C,以及DO-204AL、DO-41、,轴向包装盒,该设备也可以用作磁带盒(TB)包装。此外,反向恢复时间trr为3μs,该设备的标准恢复时间>500ns,速度>200mA(Io),该设备具有供应商设备包的DO-204AL(DO-41),电压DC反向Vr Max为400V,电压正向Vf Max If为1.1V@1A。