9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS1AHE3/61T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1AHE3/61T参考价格为0.414美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS1AHE3/61T封装/规格:DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC。您可以下载RS1AHE3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS1AFA带有引脚细节,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计用于快速恢复整流器产品。数据表备注中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装,该包装提供SMD/SMT等安装方式功能,其工作温度范围为-55 C至+150 C,以及SOD-123W包装箱,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为SOD-123FA,该设备为单配置,该设备的速度快速恢复=200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@50V,电压正向Vf Max If为1.3V@800mA,电压直流反向Vr Max为50V,电流平均整流Io为800mA,反向恢复时间trr为150ns,电容Vr F为10pF@4V,1MHz,工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为1.3 V,Vr反向电压为50 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为800mA,最大浪涌电流为30A,恢复时间为150ns。
RS1AHE3/5AT是DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC,包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在50V电压DC反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AC(SMA)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为150ns,除了磁带和卷轴(TR)封装外,该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@50V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为10pF@4V,1MHz。
RS1AF,电路图由东芝/VISHAY制造。RS1AF采用SMAF封装,是IC芯片的一部分。