9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS1DHE3/61T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1DHE3/61T参考价格为1.462美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS1DHE3/61T封装/规格:DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载RS1DHE3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS1DFA带有引脚细节,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计用于快速恢复整流器产品。数据表备注中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装,该包装提供SMD/SMT等安装方式功能,其工作温度范围为-55 C至+150 C,以及SOD-123W包装箱,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为SOD-123FA,该设备为单配置,该设备速度快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@200V,电压正向Vf Max If为1.3V@800mA,电压反向Vr Max为200V,电流平均整流Io为800mA,反向恢复时间trr为150ns,电容Vr F为10pF@4V,1MHz,工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为1.3V,Vr反向电压为200V,Ir反向电流为5uA,如果正向电流为800mA,最大浪涌电流为30A,恢复时间为150ns。
RS1DHE3/5AT是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC,包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AC(SMA)的供应商设备包,其提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为150ns,除了磁带和卷轴(TR)封装外,该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@200V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为10pF@4V,1MHz。
RS1DHE3,带有VISHAY制造的电路图。RS1DHE3采用DO214AC封装,是二极管、整流器-单体的一部分。