9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS1JHE3/61T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1JHE3/61T参考价格为6.766美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS1JHE3/61T封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC。您可以下载RS1JHE3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS1JFP,带引脚细节,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计用于快速恢复整流器产品,包装如数据表注释所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供单位重量功能,如0.000363盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,其工作温度范围为-55℃至+150℃,该装置也可用作SOD-123H包装箱。此外,安装类型为表面安装,该设备在SOD-123HE供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@600V,电压正向Vf Max If为1.3V@1.2A,电压反向Vr Max为600V,电流平均整流Io为1.2A,反向恢复时间trr为300ns,电容Vr F为18pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~150°C,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,Vf正向电压为1.3 V,Vr反向电压为600 V,并且Ir反向电流是5uA,并且如果正向电流是1.2A,并且最大浪涌电流是50A,并且恢复时间是300ns。
带有用户指南的RS1JFA,包括600 V Vr反向电压,它们设计为在1.3V@800mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的电压直流反向Vr Max,提供了1.3 V等Vf正向电压特性。供应商设备包设计为在SOD-123FA中工作,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外,反向恢复时间trr为250ns,该设备提供250 ns恢复时间,该设备具有产品快速恢复整流器,包装为Digi-ReelR替代包装,包装箱为SOD-123W,其工作温度范围为-55℃至+150℃,工作温度结区为-55°C~150°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最低工作温度范围为-55 C,最大浪涌电流为30 A,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为800 mA,二极管类型为标准型,反向泄漏电流Vr为5μA@600V,平均整流电流Io为800 mA,并且配置为Single,电容Vr F为10pF@4V,1MHz。
RS1JHE3/5AT是DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC,包括7pF@4V,1MHz电容Vr F,它们设计用于1A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@600V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR),设备提供250ns反向恢复时间trr,设备速度快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为DO-214AC(SMA),电压DC反向Vr最大值为600V,电压正向Vf最大值为1.3V@1A。