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MA2J11600L是DIODE GEN PURP 40V 100MA SMINI2,包括Digi-ReelR封装,它们设计用于SC-90 SOD-323F封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备封装功能,如SMINI2-F1,速度设计用于小信号=,以及标准二极管类型,该器件也可以用作10nA@40V电流反向泄漏Vr。此外,电压正向Vf Max If为1.2V@100mA,该器件提供40V电压直流反向Vr Max,该器件具有100mA的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为100ns,电容Vr F为2pF@6V,1MHz,其工作温度结范围为150°C(最大值)。
MA2J1160GL是DIODE GEN PURP 40V 100MA SMINI2,包括1.2V@100MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在40V电压直流反向Vr Max下工作,则数据表说明中显示了SMINI2-F3中使用的供应商设备包,该SMINI2-F2提供速度特性,如小信号=、反向恢复时间trr设计为100ns,以及Digi-ReelR封装,该器件也可以用作SC-90、SOD-323F封装盒,其工作温度结范围为150°C(最大值),该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10nA@40V,电流平均整流Io为100mA。
MA2J1150GL是DIODE GEN PURP 200V 200MA SMINI2,包括200MA电流平均整流Io,它们设计用于200nA@200V电流反向泄漏Vr,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供表面安装等安装类型功能,其工作温度结范围为150°C(最大值),以及SC-90,SOD-323F包装箱,该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外,速度为小信号=,该设备在SMini2-F3供应商设备包中提供,该设备具有200V直流反向电压Vr Max,正向电压Vf Max If为1.2V@200mA。