9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS1KHE3/61T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1KHE3/61T参考价格为1.50918美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS1KHE3/61T封装/规格:DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC。您可以下载RS1KHE3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS1KFP带引脚细节,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计用于快速恢复整流器产品。数据表备注中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装,提供单位重量功能,例如0.000363盎司。安装样式设计用于SMD/SMT,其工作温度范围为-55 C至+150 C,该装置也可用作SOD-123H包装箱。此外,安装类型为表面安装,该设备在SOD-123HE供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@800V,电压正向Vf Max If为1.3V@1.2A,电压反向Vr Max为800V,电流平均整流Io为1.2A,反向恢复时间trr为300ns,电容Vr F为18pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~150°C,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,Vf正向电压为1.3V,Vr反向电压为800V,并且Ir反向电流是5uA,并且如果正向电流是1.2A,并且最大浪涌电流是50A,并且恢复时间是300ns。
RS1KHE3/5AT是DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC,包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在800V直流反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AC(SMA)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为500ns,除了磁带和卷轴(TR)封装外,该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@800V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为7pF@4V,1MHz。
RS1KFL,电路图由TSC制造。RS1KFL采用SOD123FL封装,是IC芯片的一部分。