9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GF1JHE3/5CA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GF1JHE3/5CA参考价格为0.296美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GF1JHE3/5CA封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA。您可以下载GF1JHE3/5CA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GF1J是DIODE GEN PURP 600V 1A SMA，包括标准回收整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.003739盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装型，该设备也可以用作SMA（DO-214AC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复速度大于500ns，大于200mA（Io），该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，Pd功耗为1.8 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为2000ns。
GF1J-E3/67A是DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.1 V@1A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供1.1 V等正向电压特性，单位重量设计为0.003668 oz，以及SUPERECTIER商标，该设备也可以用作DO-214BA（GF1）供应商设备包。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备为SUPERECTIFIERR系列，该设备具有2μs的反向恢复时间trr，恢复时间为3000 ns，产品为标准恢复整流器，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214BA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，并且电流平均整流Io为1A，并且配置为Single。
GF1J/17，带有VISHAY制造的电路图。GF1J/17采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
