9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYD33MGPHE3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYD33MGPHE3/73参考价格$4.412。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYD33MGPHE3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL。您可以下载BYD33MGPHE3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYD33MGPHE3/54是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包功能，如DO-204AL（DO-41），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，直流反向电压Vr Max为1000V（1kV），该器件采用1A电流平均整流Io，该器件具有300ns的反向恢复时间trr，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
BYD33MGP-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括1.3V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AL（DO-41），提供速度特性，如标准恢复＞500ns，＞200mA（Io），反向恢复时间trr设计为300ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
BYD33MGP-E3/73是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括15pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@1000V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外，包装为磁带盒（TB），设备提供300ns反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-204AL（DO-41），电压DC反向Vr最大值为1000V（1kV），电压正向Vf最大值为1.3V@1A。
