9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYW27-200GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYW27-200GP-E3/73参考价格$0.4。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYW27-200GP-E3/73包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL。您可以下载BYW27-200GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYW178-TR是DIODE AVLANCHE 800V 3A SOD64，包括超快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.030265盎司，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计为在SOD-64、轴向、，该器件也可以用作SOD-64供应商器件包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@800V，正向电压Vf Max If为1.9V@3A，直流反向电压Vr Max为800V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为60ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.9 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为80 A，恢复时间为50 ns。
BYW178-TAP是DIODE AVLANCHE 800V 3A SOD64，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.9V@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于800V的直流反向电压Vr Max，该800V提供了1.9 V的正向电压特性，单位重量设计为0.030265盎司，以及SOD-64供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为60ns，该设备在50ns恢复时间内提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为SOD-64，轴向，其工作温度接合范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为80 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μA@800V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
BYW27-200GP-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL，包括8pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AL，DO-41，轴向包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装。此外，该产品是标准恢复整流器，该设备提供的标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的DO-204AL（DO-41），电压DC反向Vr最大值为200V。
