9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS2BHE3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS2BHE3/52T参考价格为0.166美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS2BHE3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA。您可以下载RS2BHE3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS2B-E3/52T是DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了RS2B-E3/3BT中使用的零件别名，该RS2B-E5/5BT提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备以单配置提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.3V@1.5A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为100V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为1.5A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为150ns。
RS2B-E3/5BT是DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA，包括100V Vr反向电压，它们设计为在1.3V@1.5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了100V中使用的电压直流反向Vr Max，该100V提供了1.3V正向电压功能，单位重量设计为0.006349盎司，以及DO-214AA（SMB）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为150ns，该设备以150ns恢复时间提供，该设备具有产品快速恢复整流器，零件别名为RS2B-E3/52T，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1.5 A，二极管类型为标准型，反向泄漏电流Vr为5μA@100V，平均整流电流Io为1.5A，并且配置为Single，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
RS2BF，电路图由东芝/VISHAY制造。RS2BF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
