9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYW27-400GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYW27-400GP-E3/73参考价格$4.488。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYW27-400GP-E3/73包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL。您可以下载BYW27-400GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYW27-400GP-E3/54是DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL，包括标准回收整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AL、DO-41、轴向，提供安装类型功能，如通孔，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为200nA@400V，该器件的电压正向Vf Max为1V@1A。如果，该器件具有400V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
BYW27-200GPHE3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL，包括1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AL（DO-41）的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为3μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为200nA@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz。
BYW27-200GPHE3/73是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL，包括8pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于200nA@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外，包装为磁带盒（TB），该器件以3μs反向恢复时间trr提供，该器件的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商器件包装为DO-204AL（DO-41），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1V@1A。
